Горський П.В., Михальченко В.П. Зниження граткової теплопровідності термоелектричного матеріалу шляхом оптимізації формоутворюючого елемента

PDF

Повне видання (PDF)

Горский П.В.
Інститут термоелектрики НАН і МОНмолодьспорту України, вул. Науки, 1, Чернівці, 58029, Україна

Михальченко В.П
Інститут термоелектрики НАН і МОНмолодьспорту України, вул. Науки, 1, Чернівці, 58029, Україна

Ключові слова: термоелектричний матеріал, екструзія, добротність, граткова теплопровідність, формотворний елемент, контакт, кордони, фонони, розсіювання, нормальні процеси, процеси перекиду.

Анотація: В рамках чотирьох різних модельних підходів виконано розрахунок граткової
теплопровідності для фізичної моделі формоутворюючого елемента структури
термоелектричного матеріалу – двох напівсфер, які дотикаються по круговому контакту
з урахуванням розсіювання фононів на границі контакту, стосовно Bi2Te3. Результати
розрахунків коротко обговорені із загальнофізичної й прикладної точок зору
термоелектричного матеріалознавства.

Література:

  1. О влиянии туннелирования на эффективность термоэлектрических устройств /[Лидоренко Н.С., Андрияко В.А., Дудкин Л.Д. и др.] – ДАН СССР, 1969. – 1295 с.
  2. Стильбанс Л.С. Некоторые вопросы явлений переноса в гетерогенных системах. В кн.:
    «Термоэлектрические материалы и пленки. Материалы Всесоюзного Совещания по
    деформационным и размерным эффектам в термоэлектрических материалах и пленках,
    технологии и применению пленок» / Л.С. Стильбанс, А.Д. Терехов, Э.М. Шер –
    Ленинград, 1976, – 199 с.
  3. Терехов А.Д. Структура дисперсной среды и эффективные значения коэффициентов тепло- и электропроводности. Материалы Всесоюзного Совещания по деформационным и размерным эффектам в термоэлектрических материалах и пленках, технологии и применению пленок» / А.Д. Терехов, Э.М. Шер – Ленинград, 1976. – 211 с.
  4. Влияние рассеяния на границах на теплопроводность наноструктурированного полупроводникового материала BixSb2–xTe3 / [Л.П. Булат, И.А. Драбкин, В.В. Каратаев и др.] // ФТТ – 2010. – № 52. – С. 1712 – 1716.
  5. M. Green, Semiconductor Devices, Patent of USA No 3524771. Patented Aug.19, 1970, Int.Cl.H01l 7/00, H01v 1/28.
  6. Дмитриев А.В. Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов /
    А.В. Дмитриев, И.П. Звягин // УФН – Т. 180, № 8. – 2010. – С. 821 – 838.
  7. A. Casian, V. Dusciac, I. Coropceanu, Huge Carrier Mobilities Expected in Quasi-One-Dimensional
    Organic Crystals, Phys. Rev. B 66, 165404, 1 – 5 (2002).
  8. Касиян А.И. Уменьшение числа лоренца как новое направление повышения ZT в
    квазиодномерных органических кристаллах / А.И. Касиян, И.И. Балмуш, В.Г. Дущак //
    Термоэлектричество. – 2011. – №3. – С. 20 – 29.
  9. Дущак В. Термоэлектрические возможности квазиодномерных органических полупроводников / В. Дущак // Термоэлектричество. – 2004. – №1. – С. 5 – 19.
  10. Миснар А. Теплопроводность твердых тел, жидкостей, газов и их композиций / А. Миснар – М.: Мир, 1968. – 464 с.
  11. P.G. Klemens, Lattice Thermal Conductivity. – In: Solid State Physics. Advances in Research and
    Applications. Vol.7, pp. 1 – 98 (New York: Academic Press. Inc. Publishers, 1958), 526 p.
  12. Гольцман Б.М. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 /
    Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов – М.: Наука, 1972. – 320 с.

Надійшла до редакції 23.01.2013.