Морозова Н.В., Коробєйніков И.В., Курочка К.В., Щеніков В.В Дослідження матеріалів, в яких відбуваються різкі стрибки ефекту Зеєбека при високому тиску

PDF

Повне видання (PDF)

Морозова Н.В.
Інститут фізики металів Уральського відділення Російської академії наук, вул. Софії Ковалевської, 18, Єкатеринбург, 620990, Росія

Коробєйніков І.В.
Інститут фізики металів Уральського відділення Російської академії наук, вул. Софії Ковалевської, 18, Єкатеринбург, 620990, Росія

Курочка К.В.
Інститут фізики металів Уральського відділення Російської академії наук, вул. Софії Ковалевської, 18, Єкатеринбург, 620990, Росія

Щенніков В.В.
Інститут фізики металів Уральського відділення Російської академії наук, вул. Софії Ковалевської, 18, Єкатеринбург, 620990, Росія

Ключові слова: ефект Зеєбека, високий тиск, напівпровідники.

Анотація: Виявлено, що в напівпровідникових сполуках на основі HgTe, Si, Bi2Te3, PbTe і т.д. відбуваються різкі стрибки ефекту Зеєбека з інверсією знаку (або без неї) при впливі високого тиску до 20 ГПа. Розгляд можливих причин, що приводять до зазначеної вище аномальної поведінки ефекту Зеєбека, проведений на основі аналізу особливостей електронної зонної структури, а також зміни дефектно-домішкової системи для різних видів матеріалів.

Література

  1. Tsidil’kovskii I.M., Shchennikov V.V., Gluzman N.G., Thermoelectric power of mercury chalcogenides at very high pressures, Sov. Phys. Semicond., 17(5), 1983, 604-606.
  2. Shchennikov V.V., Ovsyannikov S.V., Manakov A.Y., Measurement of Seebeck effect (thermoelectric power) at high pressure up to 40 GPa, J. Phys. Chem. Solids, 71, 2010, 1168-1174.
  3. Ovsyannikov S.V., Shchennikov V.V., Shvetsova M.A., Dubrovinsky L.S., and Polian A., Tuning of the stoichiometry of Fe1-xO wüstite by compression, Phys. Rev. B, 81, 2010, 060101.
  4. Shchennikov V.V., Ovsyannikov S.V., Derevskov A.Y., Shchennikov V.V. Jr., Automated portable high-pressure setup for study of phase transitions in solids, J. Phys. Chem. Solids, 67, 2006, 2203-2209.
  5. Gluzman N.G., Shchennikov V.V., Investigation of the high-pressure phase of HgSe, Sov. Phys. Solid State, 21(10), 1979, 1844-1846.
  6. Shchennikov V.V., Gluzman N.G., Pressure-induced zero-gap semiconductor-finite-gap-metal transitions in mercury telluride, Sov. Phys. Solid State, 23(10), 1981, 1800-1803.
  7. Tsidil’kovskii I.M., Shchennikov V.V., Gluzman N.G., Metallization of mercury chalcogenides under
    ultrahigh pressures, Sov. Phys. Solid State, 24(9), 1982, 1507-1511.
  8. Shchennikov V.V., Gavaleshko N.P., Frasunyak V.M., Phase transition in HgTeS crystals at high pressure, Phys. Solid State, 37(10), 1995, 1943-1946.
  9. Seeger K., Semiconductor Physics, Wien, NY, Springer, 1973, 514.
  10. Ovsyannikov S.V., Shchennikov V.V., High-Pressure Routes in the Thermoelectricity or How One Can Improve a Performance of Thermoelectrics, Chem. Mater., 22(3), 2010, 635-647.
  11. Chen X., Wang Y., Cui T., Ma Y., Zou G., Iitaka T., HgTe: A potential thermoelectric material in the cinnabar phase, J. Chem. Phys., 128, 2008, 194713.
  12. Korobeinikov I.V., Morozova N.V., Misiuk A., Abrosimov N.V., Shchennikov V.V., “Smart” silicon: Switching between p- and n-conduction under compression, Appl. Phys. Lett., 101(6), 2012, 062107.
  13. Shchennikov V.V., Shchennikov Vs.V., Streltsov S.V., Korobeynikov I.V., Ovsyannikov S.V., Thermoelectric Power of Different Phases and States of Silicon at High Pressure, J. Electron. Mater., 2013, DOI: 10.1007/s11664-013-2602-3.
  14. Paul W., Warshawer D.M., Solids under pressure, New York, McGraw-Hill, 1963, 524.
  15. Ovsyannikov S.V., Shchennikov V.V., Vorontsov G.V., Manakov A.Y., Likhacheva A.Y., Kulbachinskii V.A., Giant improvement of thermoelectric power factor of Bi2Te3 under pressure, J. Appl. Phys., 104, 2008, 053713.
  16. Wang Y., Chen X., Cui T., Niu Y., Wang Y., Wang M., Ma Y., Zou G., Enhanced thermoelectric performance of PbTe within the orthorhombic Pnma phase, Phys. Rev. B, 76, 2007, 155127.

Надійшла до редакції 28.05.2013