Горский П.В.
Інститут термоелектрики НАН і МОН України, вул. Науки, 1, Чернівці, 58029, Україна
Михальченко В.П
Інститут термоелектрики НАН і МОН України, вул. Науки, 1, Чернівці, 58029, Україна
Ключові слова: термоелектричний матеріал, екструзія, добротність, провідність, формоутворюючий елемент, контакти, межі, електрони, фонони, розсіяння.
Анотація: В ізотропному наближенні виконано розрахунки електропровідності для фізичної моделі – двох дотичних по круговому контакту півсфер з урахуванням розсіювання електронів на границі контакту стосовно до Bi2Te3. Показано, що величина ефективної електропровідності цього матеріалу в області температур 300 К й вище може бути збережена, якщо радіус контакту перевищує 10.4 довжини вільного пробігу електрона (дірки). Результати розрахунків коротко обговорені із загальнофізичної й прикладної точок зору термоелектричного матеріалознавства.
Література
- О влиянии туннелирования на эффективность термоэлектрических устройств / Н.С. Лидоренко, В.А. Андрияко, Л.Д. Дудкин [и др.] // ДАН СССР. – 1969. – Т. 186. – С. 1295- 1297.
- Булат Л.П. Влияние туннелирования на термоэлектрическую эффективность объемных наноструктурированных материалов / Л.П. Булат, Д.А. Пшенай-Северин // ФТП. – 2010.– Т. 52.– С. 452-458.
- A. Casian, V. Dusciac, I. Coropceanu, Huge Carrier Mobilities Expected in Quasi-One-Dimensional Organic Crystals, Phys. Rev. B 66, 165404, 1-5 (2002).
- Касиян А.И. Уменьшение числа Лоренца как новое направление повышения ZT в квазиодномерных органических кристаллах / А.И. Касиян, И.И. Балмуш, В.Г. Дущак // Термоэлектричество. – 2011. – № 3. – С. 20-29.
- Дущак В. Термоэлектрические возможности квазиодномерных органических полупроводников / В. Дущак // Термоэлектричество. – 2001. – № 4. – С. 5-19.
- Миснар А. Теплопроводность твердых тел, жидкостей, газов и их композиций / А. Миснар. – М.: Мир, 1968. – 464 с.
- Гольцман Б.М. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 / Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. – М.: Наука, 1972. – 320 с.
Надійшла до редакції 16.01.2013.